| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 210 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Moc - Max: | 2W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | *IRF7350PBF SP001554224 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Standard |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 100V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array N and P-Channel 100V 2.1A, 1.5A 2W Surface Mount 8-SO |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 2.1A, 1.5A |
| Podstawowy numer części: | IRF7350PBF |
| Email: | [email protected] |
