IPA029N06NXKSA1
IPA029N06NXKSA1
Modelo do Produto:
IPA029N06NXKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 60V TO220-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
61180 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IPA029N06NXKSA1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.3V @ 75µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO220-FP
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.9 mOhm @ 84A, 10V
Dissipação de energia (Max):38W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:SP001199858
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5125pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 84A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:84A (Tc)
Email:[email protected]

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