IPA086N10N3GXKSA1
IPA086N10N3GXKSA1
Modelo do Produto:
IPA086N10N3GXKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
84458 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IPA086N10N3GXKSA1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 75µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO220-FP
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8.6 mOhm @ 45A, 10V
Dissipação de energia (Max):37.5W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:IPA086N10N3 G
IPA086N10N3 G-ND
IPA086N10N3G
SP000485984
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3980pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 45A (Tc) 37.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:45A (Tc)
Email:[email protected]

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