GKI10526
GKI10526
Modelo do Produto:
GKI10526
Fabricante:
Sanken Electric Co., Ltd.
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
80941 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
GKI10526.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 350µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-DFN (5x6)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:47.7 mOhm @ 9.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.1W (Ta), 46W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:GKI10526 DK
GKI10526TR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1530pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 4A (Ta) 3.1W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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