GKI10526
GKI10526
Modello di prodotti:
GKI10526
fabbricante:
Sanken Electric Co., Ltd.
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
80941 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
GKI10526.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 350µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-DFN (5x6)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:47.7 mOhm @ 9.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 46W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:GKI10526 DK
GKI10526TR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1530pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 4A (Ta) 3.1W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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