| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - Teste: | 510pF @ 25V |
| Tensão - Breakdown: | TO-220-3 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 360 mOhm @ 4.75A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | QFET® |
| Status de RoHS: | Tube |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 9.5A (Tc) |
| Polarização: | TO-220-3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 6 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | FQP10N20C |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 26nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±30V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Característica FET: | N-Channel |
| Descrição expandida: | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| Rácio de capacitância: | 72W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
