FQP13N06L
Modelo do Produto:
FQP13N06L
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
39694 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.FQP13N06L.pdf2.FQP13N06L.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 6.8A, 10V
Dissipação de energia (Max):45W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:5 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6.4nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 13.6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:13.6A (Tc)
Email:[email protected]

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