| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Gerilim - Deney: | 510pF @ 25V |
| Gerilim - Arıza: | TO-220-3 |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 360 mOhm @ 4.75A, 10V |
| Vgs (Maks.): | 10V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dizi: | QFET® |
| RoHS Durumu: | Tube |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 9.5A (Tc) |
| polarizasyon: | TO-220-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 6 Weeks |
| Üretici parti numarası: | FQP10N20C |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 26nC @ 10V |
| IGBT Tipi: | ±30V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Özelliği: | N-Channel |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | - |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 200V |
| kapasitans Oranı: | 72W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
