FDS8958B
FDS8958B
Modelo do Produto:
FDS8958B
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
34484 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDS8958B.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:26 mOhm @ 6.4A, 10V
Power - Max:900mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:FDS8958BCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.4A, 4.5A
Email:[email protected]

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