FDS8958B
FDS8958B
Número de pieza:
FDS8958B
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
34484 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FDS8958B.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:26 mOhm @ 6.4A, 10V
Potencia - Max:900mW
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:FDS8958BCT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.4A, 4.5A
Email:[email protected]

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