FDS6699S
FDS6699S
Modelo do Produto:
FDS6699S
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
70570 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDS6699S.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:PowerTrench®, SyncFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.6 mOhm @ 21A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:FDS6699SDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3610pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:91nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:21A (Ta)
Email:[email protected]

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