FDS6699S
FDS6699S
Modello di prodotti:
FDS6699S
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
70570 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDS6699S.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.6 mOhm @ 21A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:FDS6699SDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3610pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:91nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Ta)
Email:[email protected]

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