FDS6892AZ
FDS6892AZ
Modello di prodotti:
FDS6892AZ
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
59842 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDS6892AZ.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:18 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Potenza - Max:900mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1286pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.5A
Email:[email protected]

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