FDB6670AS
FDB6670AS
Modelo do Produto:
FDB6670AS
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
38479 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDB6670AS.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263AB
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8.5 mOhm @ 31A, 10V
Dissipação de energia (Max):62.5W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1570pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 62A (Ta) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:62A (Ta)
Email:[email protected]

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