FDB6670AS
FDB6670AS
部品型番:
FDB6670AS
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
38479 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
FDB6670AS.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 1mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-263AB
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):8.5 mOhm @ 31A, 10V
電力消費(最大):62.5W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1570pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:39nC @ 15V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:N-Channel 30V 62A (Ta) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-263AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):62A (Ta)
Email:[email protected]

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