CSD19536KTTT
Modelo do Produto:
CSD19536KTTT
Fabricante:
TI
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade:
62000 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
CSD19536KTTT.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DDPAK/TO-263-3
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):375W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Outros nomes:296-41136-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):2 (1 Year)
Tempo de entrega padrão do fabricante:35 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:153nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200A (Ta)
Email:[email protected]

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