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CSD19536KTTT
- 部品型番:
- CSD19536KTTT
- メーカー:
- TI
- 説明:
- MOSFET N-CH 100V 200A TO263
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- リード線付き/ RoHS準拠
- 数量:
- 62000 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- CSD19536KTTT.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3.2V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | DDPAK/TO-263-3 |
| シリーズ: | NexFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 375W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| 他の名前: | 296-41136-2 |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 2 (1 Year) |
| メーカーの標準リードタイム: | 35 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 12000pF @ 50V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 153nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 100V |
| 詳細な説明: | N-Channel 100V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 200A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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