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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > CPMF-1200-S080B
CPMF-1200-S080B
Modelo do Produto:
CPMF-1200-S080B
Fabricante:
Cree Wolfspeed
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
75656 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
CPMF-1200-S080B.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):+25V, -5V
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die
Série:Z-FET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 20A, 20V
Dissipação de energia (Max):313mW (Tj)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Die
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1915pF @ 800V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:90.8nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):20V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V
Descrição detalhada:N-Channel 1200V 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:50A (Tj)
Email:[email protected]

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