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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CPMF-1200-S080B
CPMF-1200-S080B
Modello di prodotti:
CPMF-1200-S080B
fabbricante:
Cree Wolfspeed
Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
75656 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
CPMF-1200-S080B.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):+25V, -5V
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:Z-FET™
Rds On (max) a Id, Vgs:110 mOhm @ 20A, 20V
Dissipazione di potenza (max):313mW (Tj)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Die
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1915pF @ 800V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:90.8nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):20V
Tensione drain-source (Vdss):1200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 1200V 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tj)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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CPMF-1200-S160B Cree Wolfspeed MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE Inchiesta
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