| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 18mA |
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247-3 |
| Série: | C2M™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 70 mOhm @ 50A, 20V |
| Dissipação de energia (Max): | 520W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | Not Applicable |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 26 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3672pF @ 1kV |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 188nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 20V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1700V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 1700V 72A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 72A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
