NTD85N02RT4G
NTD85N02RT4G
Modelo do Produto:
NTD85N02RT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
58391 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NTD85N02RT4G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:NTD85N02RT4G-ND
NTD85N02RT4GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2050pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17.7nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):24V
Descrição detalhada:N-Channel 24V 12A (Ta), 85A (Tc) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 85A (Tc)
Email:[email protected]

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