BSZ065N03LSATMA1
BSZ065N03LSATMA1
Modelo do Produto:
BSZ065N03LSATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
29389 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
BSZ065N03LSATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TSDSON-8-FL
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta), 26W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:BSZ065N03LSATMA1CT
BSZ065N03LSCT
BSZ065N03LSCT-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:670pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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