BSZ065N03LSATMA1
BSZ065N03LSATMA1
Số Phần:
BSZ065N03LSATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
29389 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
BSZ065N03LSATMA1.pdf

Giới thiệu

BSZ065N03LSATMA1 giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho BSZ065N03LSATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSZ065N03LSATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TSDSON-8-FL
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:6.5 mOhm @ 20A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.1W (Ta), 26W (Tc)
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:BSZ065N03LSATMA1CT
BSZ065N03LSCT
BSZ065N03LSCT-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:670pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
miêu tả cụ thể:N-Channel 30V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận