APTGTQ100H65T3G
Modelo do Produto:
APTGTQ100H65T3G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
POWER MODULE - IGBT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
90238 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APTGTQ100H65T3G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.2V @ 15V, 100A
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP3F
Série:-
Power - Max:250W
Caixa / Gabinete:Module
Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor:Yes
Tipo de montagem:Chassis Mount
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:6nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
Descrição detalhada:IGBT Module Full Bridge 650V 100A 250W Chassis Mount SP3F
Atual - Collector Cutoff (Max):100µA
Atual - Collector (Ic) (Max):100A
Configuração:Full Bridge
Email:[email protected]

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