APTGTQ100H65T3G - Microsemi Transistori-IGBTs-moduli

APTGTQ100H65T3G

Modello di prodotti:: APTGTQ100H65T3G

fabbricante:: Microsemi

Descrizione:: POWER MODULE - IGBT

[LeadFreeStatus]未找到翻译: Senza piombo / RoHS conforme

Quantità:: 90238 Pieces

Tempo di consegna:: 1-2 days

Scheda dati:: APTGTQ100H65T3G.pdf

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Specifiche

Condizione	New and Original
Origine	Contact us
Distributore	Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):	650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:	2.2V @ 15V, 100A
Contenitore dispositivo fornitore:	SP3F
Serie:	-
Potenza - Max:	250W
Contenitore / involucro:	Module
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Termistore NTC:	Yes
Tipo montaggio:	Chassis Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:	6nF @ 25V
Ingresso:	Standard
Tipo IGBT:	-
Descrizione dettagliata:	IGBT Module Full Bridge 650V 100A 250W Chassis Mount SP3F
Corrente - Cutoff collettore (max):	100µA
Corrente - collettore (Ic) (max):	100A
Configurazione:	Full Bridge
Email:	[email protected]

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