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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT9F100S
APT9F100S
APT9F100S
Modelo do Produto:
APT9F100S
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
41113 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APT9F100S.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D3Pak
Série:POWER MOS 8™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.6 Ohm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max):337W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2606pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V
Descrição detalhada:N-Channel 1000V 9A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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