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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT8M100B
APT8M100B
APT8M100B
Modelo do Produto:
APT8M100B
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
64188 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.APT8M100B.pdf2.APT8M100B.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247 [B]
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.8 Ohm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max):290W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Outros nomes:APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:23 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1885pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V
Descrição detalhada:N-Channel 1000V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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