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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - blogosferas > 2SK879-GR(TE85L,F)
2SK879-GR(TE85L,F)
2SK879-GR(TE85L,F)
Modelo do Produto:
2SK879-GR(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
JFET N-CH 0.1W USM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
46377 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
2SK879-GR(TE85L,F).pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Cutoff (VGS off) @ Id:400mV @ 100nA
Embalagem do dispositivo fornecedor:USM
Série:-
Power - Max:100mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:2SK879-GR(TE85LF)CT
Temperatura de operação:125°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8.2pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Descrição detalhada:JFET N-Channel 100mW Surface Mount USM
Atual - Drenagem (Idss) @ Vds (Vgs = 0):2.6mA @ 10V
Email:[email protected]

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