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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-JFETs > 2SK879-GR(TE85L,F)
2SK879-GR(TE85L,F)
2SK879-GR(TE85L,F)
Número de pieza:
2SK879-GR(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
JFET N-CH 0.1W USM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
46377 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
2SK879-GR(TE85L,F).pdf
Investigación

Introducción

2SK879-GR(TE85L,F) mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de 2SK879-GR(TE85L,F), tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para 2SK879-GR(TE85L,F) por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id:400mV @ 100nA
Paquete del dispositivo:USM
Serie:-
Potencia - Max:100mW
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:2SK879-GR(TE85LF)CT
Temperatura de funcionamiento:125°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8.2pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Descripción detallada:JFET N-Channel 100mW Surface Mount USM
Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0):2.6mA @ 10V
Email:[email protected]

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