2SJ360(F)
2SJ360(F)
Modelo do Produto:
2SJ360(F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
49256 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.2SJ360(F).pdf2.2SJ360(F).pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PW-MINI
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:730 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-243AA
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:155pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:P-Channel 60V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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