2SJ360(F)
2SJ360(F)
Número de pieza:
2SJ360(F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
49256 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.2SJ360(F).pdf2.2SJ360(F).pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PW-MINI
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:730 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):500mW (Ta)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-243AA
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:155pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.5nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:P-Channel 60V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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