| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±25V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PowerPAK® 1212-8S |
| Seria: | TrenchFET® Gen III |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 5.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Strata mocy (max): | 65.8W (Tc) |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | PowerPAK® 1212-8S |
| Inne nazwy: | SISS67DN-T1-GE3CT |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 32 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 4380pF @ 15V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 111nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| szczegółowy opis: | P-Channel 30V 60A (Tc) 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
