SISH617DN-T1-GE3
SISH617DN-T1-GE3
Part Number:
SISH617DN-T1-GE3
Producent:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Opis:
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
54228 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
SISH617DN-T1-GE3.pdf

Wprowadzenie

SISH617DN-T1-GE3 najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem SISH617DN-T1-GE3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu SISH617DN-T1-GE3 pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (maks.):±25V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:PowerPAK® 1212-8SH
Seria:TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs:12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
Strata mocy (max):3.7W (Ta), 52W (Tc)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:PowerPAK® 1212-8SH
Inne nazwy:SISH617DN-T1-GE3TR
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:27 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:1800pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:59nC @ 10V
Rodzaj FET:P-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):30V
szczegółowy opis:P-Channel 30V 13.9A (Ta), 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:13.9A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze