| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seria: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 18 mOhm @ 20A, 10V |
| Strata mocy (max): | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | PowerPAK® SO-8 |
| Inne nazwy: | SIR872DP-T1-GE3DKR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 2130pF @ 75V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 150V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 150V 53.7A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 53.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
