| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1206-8 ChipFET™ |
| Seria: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 36 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Moc - Max: | 3.1W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SMD, Flat Lead |
| Inne nazwy: | SI5515CDC-T1-GE3TR SI5515CDCT1GE3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 632pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 11.3nC @ 5V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 4A |
| Podstawowy numer części: | SI5515 |
| Email: | [email protected] |
