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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
同上@ VGS(TH)(最大): | 800mV @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ: | 1206-8 ChipFET™ |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 36 mOhm @ 6A, 4.5V |
電力 - 最大: | 3.1W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
他の名前: | SI5515CDC-T1-GE3TR SI5515CDCT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 632pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 11.3nC @ 5V |
FETタイプ: | N and P-Channel |
FET特長: | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
詳細な説明: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 4A |
ベース部品番号: | SI5515 |
Email: | [email protected] |