| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 1mA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Seria: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 4.1 mOhm @ 25A, 10V |
| Strata mocy (max): | 238W (Ta) |
| Package / Case: | SC-100, SOT-669 |
| Inne nazwy: | 934069893115 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 7853pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 103nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 60V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 60V 100A (Ta) 238W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 100A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
