| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Napięcie - Test: | 43pF @ 10V |
| Napięcie - Podział: | 6-DFN (1.1x1) |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Seria: | TrenchFET® |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 500mA |
| Moc - Max: | 265mW |
| Polaryzacja: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 1727-1471-2 568-10942-2 568-10942-2-ND 934067656147 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | PMDXB950UPE |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 2.1nC @ 4.5V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 950mV @ 250µA |
| Cecha FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1) |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | Logic Level Gate |
| Opis: | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
