| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Изпитване на напрежение: | 43pF @ 10V |
| Напрежение - Разбивка: | 6-DFN (1.1x1) |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
| серия: | TrenchFET® |
| Състояние на RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 500mA |
| Мощност - макс: | 265mW |
| поляризация: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Други имена: | 1727-1471-2 568-10942-2 568-10942-2-ND 934067656147 |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 6 Weeks |
| Номер на частта на производителя: | PMDXB950UPE |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 2.1nC @ 4.5V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 950mV @ 250µA |
| FET Feature: | 2 P-Channel (Dual) |
| Разширено описание: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1) |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | Logic Level Gate |
| описание: | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
