IPD04N03LA G
IPD04N03LA G
Part Number:
IPD04N03LA G
Producent:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Opis:
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
43008 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
IPD04N03LA G.pdf

Wprowadzenie

IPD04N03LA G najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem IPD04N03LA G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu IPD04N03LA G pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 80µA
Vgs (maks.):±20V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:PG-TO252-3
Seria:OptiMOS™
RDS (Max) @ ID, Vgs:3.8 mOhm @ 50A, 10V
Strata mocy (max):115W (Tc)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Inne nazwy:IPD04N03LA
IPD04N03LAG
IPD04N03LAGINTR
IPD04N03LAGXT
IPD04N03LAGXT-ND
IPD04N03LAINTR
IPD04N03LAINTR-ND
SP000017598
temperatura robocza:-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:5199pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:41nC @ 5V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):25V
szczegółowy opis:N-Channel 25V 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze