IPD04N03LA G
IPD04N03LA G
Modello di prodotti:
IPD04N03LA G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
43008 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IPD04N03LA G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 80µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.8 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):115W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPD04N03LA
IPD04N03LAG
IPD04N03LAGINTR
IPD04N03LAGXT
IPD04N03LAGXT-ND
IPD04N03LAINTR
IPD04N03LAINTR-ND
SP000017598
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5199pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione dettagliata:N-Channel 25V 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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