| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Napięcie - Test: | 4640pF @ 25V |
| Napięcie - Podział: | TO-3PN |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 41 mOhm @ 34.5A, 10V |
| Vgs (maks.): | 10V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seria: | UniFET™ |
| Stan RoHS: | Tube |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 69A (Tc) |
| Polaryzacja: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | FDA69N25 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 100nC @ 10V |
| Rodzaj IGBT: | ±30V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 250V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 250V |
| Stosunek pojemności: | 480W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
