| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1mA |
| Vgs (maks.): | 20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | M-A1 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Strata mocy (max): | 1W (Ta) |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | 3-SIP |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 45pF @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 80V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 80V 500mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole M-A1 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
