| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (maks): | ±18V |
| Teknologi: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Leverandør Enhetspakke: | PQFN (8x8) |
| Serie: | - |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 350 mOhm @ 5.5A, 8V |
| Strømdissipasjon (maks): | 65W (Tc) |
| emballasje: | Tube |
| Pakke / tilfelle: | 4-PowerDFN |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 760pF @ 480V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 8V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 600V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
