Kongeriket
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om oss | Kontakt oss | Etterspør et sitat |
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N5619US
JAN1N5619US
Delenummer:
JAN1N5619US
Produsent:
Microsemi
Beskrivelse:
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Inneholder bly / RoHS ikke-kompatibel
Mengde:
73107 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Dataark:
JAN1N5619US.pdf
Forespørsel

Introduksjon

JAN1N5619US best pris og rask levering.
BOSER Technology er distributør for JAN1N5619US, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid levering. Vennligst send oss ​​kjøpsplanen din for JAN1N5619US via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Vår e-post: [email protected]

spesifikasjoner

Tilstand New and Original
Opprinnelse Contact us
distributør Boser Technology
Spenning - Videresend (Vf) (Maks) @ Hvis:1.6V @ 3A
Spenning - DC-omvendt (Vr) (Maks):600V
Leverandør Enhetspakke:D-5A
Hastighet:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/429
Omvendt gjenopprettingstid (trr):250ns
emballasje:Bulk
Pakke / tilfelle:SQ-MELF, A
Andre navn:1086-19421
1086-19421-MIL
Driftstemperatur - Kobling:-65°C ~ 175°C
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Produsentens Standard Lead Time:8 Weeks
Lead Free Status / RoHS Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Diodetype:Standard
Detaljert beskrivelse:Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
Strøm - Omvendt lekkasje @ Vr:500nA @ 600V
Gjeldende - Gjennomsnittlig Rectified (Io):1A
Kapasitans @ Vr, F:25pF @ 12V, 1MHz
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer

Beslektede deler til JAN1N5619US

Bilde Delenummer produsenter Beskrivelse Utsikt
JAN1N5711UR-1 Image JAN1N5711UR-1 Microsemi DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA Forespørsel
JAN1N5711-1 Image JAN1N5711-1 Microsemi DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35 Forespørsel
JAN1N5614US Image JAN1N5614US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D5A Forespørsel
JAN1N5617 Image JAN1N5617 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Forespørsel
JAN1N5620US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A Forespørsel
JAN1N5615 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Forespørsel
JAN1N5616US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Forespørsel
JAN1N5623US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Forespørsel
JAN1N5621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Forespørsel
JAN1N5616 Image JAN1N5616 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Forespørsel
JAN1N5615US Image JAN1N5615US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Forespørsel
JAN1N5622 Image JAN1N5622 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Forespørsel
JAN1N5623 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Forespørsel
JAN1N5620 Image JAN1N5620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Forespørsel
JAN1N5621US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A Forespørsel
JAN1N5617US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Forespørsel
JAN1N5618 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Forespørsel
JAN1N5622US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Forespørsel
JAN1N5619 Image JAN1N5619 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Forespørsel
JAN1N5618US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Forespørsel

Latest News