| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 2.1V @ 25µA |
| Vgs (maks): | ±16V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | DIRECTFET S1 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 5.2 mOhm @ 16A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
| emballasje: | Cut Tape (CT) |
| Pakke / tilfelle: | DirectFET™ Isometric S1 |
| Andre navn: | IRF6810STR1PBFCT |
| Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 1038pF @ 13V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 4.5V, 10V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 25V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 25V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 16A (Ta), 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
