| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.1V @ 25µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET S1 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.2 mOhm @ 16A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric S1 |
| Altri nomi: | IRF6810STR1PBFCT |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1038pF @ 13V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 25V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Ta), 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
