| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | - |
| Vgs (maks): | - |
| Teknologi: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Leverandør Enhetspakke: | TO-247AB |
| Serie: | - |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 480 mOhm @ 4A |
| Strømdissipasjon (maks): | 106W (Tc) |
| emballasje: | Tube |
| Pakke / tilfelle: | TO-247-3 |
| Andre navn: | 1242-1134 GA04JT17247 |
| Driftstemperatur: | 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 18 Weeks |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type: | - |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | - |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 1700V |
| Detaljert beskrivelse: | 1700V 4A (Tc) (95°C) 106W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) (95°C) |
| Email: | [email protected] |
