| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (макс): | - |
| технология: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-247AB |
| серия: | - |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 480 mOhm @ 4A |
| Разсейване на мощност (макс.): | 106W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-247-3 |
| Други имена: | 1242-1134 GA04JT17247 |
| Работна температура: | 175°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 18 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип FET: | - |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 1700V |
| Подробно описание: | 1700V 4A (Tc) (95°C) 106W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) (95°C) |
| Email: | [email protected] |
