| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4V @ 18mA |
| Vgs (maks): | +25V, -10V |
| Teknologi: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Leverandør Enhetspakke: | TO-247-4L |
| Serie: | C2M™ |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 59 mOhm @ 50A, 20V |
| Strømdissipasjon (maks): | 520W (Tc) |
| Pakke / tilfelle: | TO-247-4 |
| Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | Not Applicable |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 3672pF @ 1000V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 188nC @ 20V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 20V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 1700V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 1700V 72A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 72A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
